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使用液質(zhì)聯(lián)用氮?dú)獍l(fā)生器時(shí)需要多注意以下事項(xiàng)

液質(zhì)聯(lián)用氮?dú)獍l(fā)生器涉及的電路設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方法是由儲(chǔ)液罐、多電解池、開(kāi)關(guān)電源、氣水分離器、單向閥、干燥室、五通、壓力控制器、壓力報(bào)警器、壓力顯示表、脫氧管、開(kāi)關(guān)閥，儲(chǔ)液罐通過(guò)流體管與多片板組成的電解池聯(lián)通，通過(guò)電化學(xué)反應(yīng)及物理吸附法，采用壓縮空氣源與多片電解組氣路聯(lián)通，可達(dá)到以普氮制氮的方法，一次提純到位可達(dá)到99.994%的高純氮。那么在使用液質(zhì)聯(lián)用氮?dú)獍l(fā)生器時(shí)需要注意些什么呢？1、由于該儀器配備的壓縮機(jī)為開(kāi)路工作方式，故潤(rùn)滑油會(huì)隨水排出機(jī)外，造成消耗，所以在使用一年后適當(dāng)...

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影響高壓氫氣發(fā)生器加氫的因素分析

高壓氫氣發(fā)生器是有機(jī)化學(xué)實(shí)驗(yàn)室和實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中一件非常重要的設(shè)備，不僅可以用作加氫反應(yīng)的容器，而且也可用于液體和氣體需要充分混合的場(chǎng)合。加氫過(guò)程由于存在有氣、液、固三相的放熱反應(yīng)，欲使反應(yīng)進(jìn)料（氣、液兩相）與催化劑（固相）充分、均勻、有效地接觸，反應(yīng)器設(shè)計(jì)有多個(gè)催化劑床層，在每個(gè)床層的頂部都設(shè)置有分配盤(pán)，并在兩個(gè)床層之間設(shè)有溫控結(jié)構(gòu)（冷氫箱），以確保加氫裝置的安全平穩(wěn)生產(chǎn)和延長(zhǎng)催化劑的使用壽命。由于反應(yīng)器使用條件苛刻，在反應(yīng)器的發(fā)展上主要圍繞提高反應(yīng)器使用的安全性。所以無(wú)論是...

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氮?dú)獍l(fā)生器使用前的準(zhǔn)備工作

1、配制電解液：用500ml蒸餾水溶解，300型為：130g氫氧化鉀，待溶液冷卻后注入液罐，并補(bǔ)充蒸餾水至液位刻度。注液口應(yīng)該要位于儀器頂部，按標(biāo)志取下蓋后馬上進(jìn)行注液。工作時(shí)須保證儀器“O2"口暢通，如果儀器停止工作15天請(qǐng)將電解液抽出。2、將氮?dú)獍l(fā)生器輸出密封帽旋緊，接通電源線(xiàn)，打開(kāi)按鈕開(kāi)關(guān)?？諝狻癆ir"工作指示燈呈黃綠色，空氣輸出壓力表指針慢慢上升到0.4Mpa；“H2"系統(tǒng)自動(dòng)啟動(dòng)，流量顯示為：280~380ml/min，數(shù)分鐘后，“H2"的流量顯示為“000"或接...

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三種常見(jiàn)的氮?dú)獍l(fā)生器工作原理分析

1.電化學(xué)法制氮在氫氣電解池的陰極(產(chǎn)氫氣一側(cè))通入高壓空氣，在催化劑作用下，氫氣和氧氣形成微觀(guān)燃料電池，完成氧化還原反應(yīng)生產(chǎn)水，宏觀(guān)上表現(xiàn)即為空氣中的氧氣被除去，剩余氮?dú)?。這種方法可以產(chǎn)出高99.995%的氮?dú)猓袔讉€(gè)明顯的缺陷：一需用到高濃度氫氧化鉀溶液做電解液，這種強(qiáng)堿溶液與氣體直接接觸，對(duì)氣體質(zhì)量有潛在影響，并有隨氣路輸出的可能性；二單位成本高；三反應(yīng)過(guò)程只去除了空氣中的氧氣，其它雜質(zhì)氣體并沒(méi)有涉及，并且反應(yīng)過(guò)程對(duì)電解池制作技術(shù)要求很高，不合適的電解池制作技術(shù)會(huì)造成...

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CVD，MOCVD專(zhuān)用氫氣發(fā)生器操作注意要點(diǎn)

一、引言化學(xué)氣相沉積(ChemicalVaporDeposition，CVD)和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MetalOrganicChemicalVaporDeposition，MOCVD)是兩種在半導(dǎo)體制造中廣泛應(yīng)用的薄膜沉積技術(shù)。這兩種技術(shù)都需要使用高純度的氫氣作為反應(yīng)氣體。因此，CVD，MOCVD專(zhuān)用氫氣發(fā)生器的操作對(duì)于保證薄膜質(zhì)量和設(shè)備安全至關(guān)重要。二、儀器簡(jiǎn)介CVD，MOCVD專(zhuān)用氫氣發(fā)生器是一種能夠產(chǎn)生高純度氫氣的設(shè)備，主要用于半導(dǎo)體制造中的CVD和MOCVD過(guò)程。該...

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